PACKAGE SOD-123FL
VRRM (V) 50
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 1.00
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SOD-123FL
VRRM (V) 100
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 1.00
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SOD-123FL
VRRM (V) 200
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 1.00
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SOD-123FL
VRRM (V) 300
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 1.3
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SOD-123FL
VRRM (V) 400
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 1.3
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SOD-123FL
VRRM (V) 600
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 1.7
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMA
VRRM (V) 50
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 0.95
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMAF
VRRM (V) 50
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 1.00
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMA
VRRM (V) 100
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 0.95
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMAF
VRRM (V) 100
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 1.00
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMA
VRRM (V) 150
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 0.95
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMAF
VRRM (V) 150
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 1.00
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMA
VRRM (V) 200
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 0.95
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMAF
VRRM (V) 200
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 1.00
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMA
VRRM (V) 300
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 1.3
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMAF
VRRM (V) 300
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 1.3
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMA
VRRM (V) 400
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 1.3
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMAF
VRRM (V) 400
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 1.3
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMA
VRRM (V) 600
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 1.7
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMAF
VRRM (V) 600
Io_Max(A) 1
IFSM_Max(A) 30
IF(A) 1
VF_Max(V) 1.7
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMA
VRRM (V) 50
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 0.95
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMB
VRRM (V) 50
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 0.95
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMAF
VRRM (V) 50
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.00
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMA
VRRM (V) 100
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 0.95
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMB
VRRM (V) 100
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 0.95
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMAF
VRRM (V) 100
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.00
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMA
VRRM (V) 150
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 0.95
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMB
VRRM (V) 150
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 0.95
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMAF
VRRM (V) 150
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.00
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
-
PACKAGE SMA
VRRM (V) 200
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 0.95
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 200
TEMP. @HTIR(℃) 125
Trr_Max(ns) 35
Tj(℃) -55～+150
Anhui Juxin Semiconductor Technology Co., Ltd. is committed to the research and development, as well as manufacturing, of highly reliable and enhanced axial diodes, energy-saving surface mount bridge rectifiers, and new ultra strong surge performance devices and chips.
Quick Links
Product Center
About us
Follow us
©Anhui Juxin Semiconductor Technology Co., Ltd.
