PACKAGE DBM
VRRM (V) 100
Io_Max(A) 1.5
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 1.5
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBS
VRRM (V) 100
Io_Max(A) 1.5
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 1.5
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBM
VRRM (V) 200
Io_Max(A) 1.5
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 1.5
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBS
VRRM (V) 200
Io_Max(A) 1.5
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 1.5
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBM
VRRM (V) 400
Io_Max(A) 1.5
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 1.5
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBS
VRRM (V) 400
Io_Max(A) 1.5
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 1.5
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBM
VRRM (V) 600
Io_Max(A) 1.5
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 1.5
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBS
VRRM (V) 600
Io_Max(A) 1.5
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 1.5
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBM
VRRM (V) 800
Io_Max(A) 1.5
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 1.5
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBS
VRRM (V) 800
Io_Max(A) 1.5
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 1.5
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBM
VRRM (V) 1000
Io_Max(A) 1.5
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 1.5
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBS
VRRM (V) 1000
Io_Max(A) 1.5
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 1.5
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBM
VRRM (V) 50
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBS
VRRM (V) 50
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBM
VRRM (V) 100
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBS
VRRM (V) 100
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBM
VRRM (V) 200
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBS
VRRM (V) 200
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBM
VRRM (V) 400
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBS
VRRM (V) 400
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBM
VRRM (V) 600
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBS
VRRM (V) 600
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBM
VRRM (V) 800
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBS
VRRM (V) 800
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBM
VRRM (V) 1000
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBS
VRRM (V) 1000
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 50
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBF
VRRM (V) 50
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 60
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBF
VRRM (V) 100
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 60
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBF
VRRM (V) 200
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 60
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
PACKAGE DBF
VRRM (V) 400
Io_Max(A) 2
IFSM_Max(A) 60
IF(A) 2
VF_Max(V) 1.10
IR _Max@25℃(μA) 5
HTIR _Max(μA) 100
TEMP. @HTIR(℃) 125
Tj(℃) -55~150
Anhui Juxin Semiconductor Technology Co., Ltd. is committed to the research and development, as well as manufacturing, of highly reliable and enhanced axial diodes, energy-saving surface mount bridge rectifiers, and new ultra strong surge performance devices and chips.
Quick Links
Product Center
About us
Follow us
©Anhui Juxin Semiconductor Technology Co., Ltd.
